[12p-B4-1~10] 進化するパワー半導体・・・シリコンからワイドバンドギャップへ

[12p-B4-4] パワーデバイス用単結晶の結晶成長

〇柿本 浩一¹、ガオ ビング¹、リュウ キン¹、中野 智¹、西澤 伸一²、原田 博文³、宮村 佳児³、関口 隆史³、寒川 義裕¹ (1.九大応力研, 2.産総研, 3.物質材料機構)

キーワード：パーワーデバイス