[12p-D1-1~12] 酸化物半導体における価電子メタモルフォロジ

[12p-D1-5] 可視領域でバンドギャップチューニング可能なZnO系新材料の開発

〇板垣 奈穂^{1, 2}、松島 宏一¹、井出 知章¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹ (1.九大シス情, 2.JSTさきがけ)

キーワード：酸化物半導体、バンドギャップ、スパッタリング