[12p-D1-1~12] 酸化物半導体における価電子メタモルフォロジ

[12p-D1-8] 結晶性OS FETのドレイン電流耐性

〇馬場 晴之¹、鈴木 陽夫¹、小林 由幸¹、松田 慎平¹、齋藤 暁²、早川 昌彦²、山﨑 舜平^{1, 2} (1.半エネ研, 2.AFD Inc)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、IGZO