[12p-D7-1~22] 17.1 成長技術

△ [12p-D7-5] Si基板上エピタキシャルグラフェンのNi援用低温形成とリアルタイム／角度分解光電子分光によるグラフェン化機構評価

〇長谷川 美佳¹、須藤 亮太¹、菅原 健太¹、三本菅 正太¹、原本 直樹¹、寺岡 有殿²、吉越 章隆²、吹留 博一¹、末光 眞希^{1, 3} (1.東北大通研, 2.原子力機構, 3.JST-CREST)

キーワード：グラフェン、シリサイド、X線光電子分光