[12p-D7-1~22] 17.1 成長技術

△ [12p-D7-6] レーザー誘起成長により形成されたSiC(0001)上グラフェンの成長過程観察

〇(M1)服部 正和¹、池上 浩¹、中村 大輔¹、岡田 龍雄¹、古川 一暁²、高村 真琴²、日比野 浩樹² (1.九大, 2.NTT物性基礎研)

キーワード：グラフェン、レーザープロセシング、SiC