[12p-D7-1~22] 17.1 成長技術

[12p-D7-8] SiC単結晶薄膜ハイブリッドデバイス基板による高品質グラフェン成長

〇吹留 博一¹、秋山 昌次²、田島 圭一郎¹、舩窪 一智¹、末光 眞希¹、小西 繁²、茂木 弘²、川合 信²、久保田 芳宏²、堀場 弘司³、組頭 広志³ (1.東北大通研, 2.信越化学工業, 3.高エネ研)

キーワード：エピタキシャルグラフェン、SiC単結晶薄膜、貼り合わせ基板