[12p-P16-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-P16-4] MOCVDによるGaN基板上への低C不純物濃度のGaN単膜成長

〇朴 冠錫^{1, 2}、池永 和正¹、矢野 良樹¹、徳永 裕樹¹、三嶋 晃²、伴 雄三郎²、田渕 俊也¹、松本 功¹ (1.大陽日酸(株), 2.大陽日酸CSE(株))

キーワード：GaN、低C不純物濃度、MOCVD