[12p-P16-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-P16-9] 4H-SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成

〇森 誠也¹、高宮 健吾¹、折原 操¹、八木 修平¹、土方 泰人¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：窒化物半導体、InNドット