[12p-P4-1~12] 6.6 プローブ顕微鏡

[12p-P4-8] Ag (110) 上シリセンナノリボン上の電子状態密度分布

大村 良輔¹、〇久保 理¹、中島 規晴¹、重原 正明¹、田畑 博史¹、森 伸也¹、片山 光浩¹ (1.阪大院工)

キーワード：シリセン、電子状態密度、走査トンネル分光