[13a-A25-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[13a-A25-3] Mg/Si薄膜積層構造により作製したMg₂Si膜の物性評価

〇長谷川 明紀¹、角嶋 邦之²、片岡 好則²、西山 彰²、杉井 信之²、若林 整²、筒井 一生²、名取 研二¹、岩井 洋¹ (1.東工大フロンティア研, 2.東工大総理工)

キーワード：シリサイド半導体、Mg2Si、トンネルFET