2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-B1-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年3月13日(金) 08:30 〜 13:00 B1 (6B-101)

08:30 〜 08:45

△ [13a-B1-1] GaNの欠陥によるレーザー誘起THz放射振幅の増強

〇酒井 裕司1、川山 巌1、中西 英俊2、斗内 政吉1 (1.阪大レーザー研, 2.SCREENホールディングス)

キーワード：テラヘルツ、窒化物半導体