[13a-P15-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13a-P15-1] 希薄窒化物半導体の電子状態記述のための有効ハミルトニアンの方法

〇森藤 正人¹、山下 純貴¹、近藤 正彦¹、石川 史太郎² (1.阪大院工, 2.愛媛大院工)

キーワード：希薄窒化物半導体、有効ハミルトニアン