2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.7 エピタキシーの基礎

[13a-P16-1~2] 15.7 エピタキシーの基礎

2015年3月13日(金) 09:30 〜 11:30 P16 (総合体育館)

09:30 〜 11:30

[13a-P16-2] GaAs MCEにおけるらせんステップ源による法線成長速度決定メカニズム

〇水野 陽介1、冨田 将史1、高倉 宏幸1、岩川 宗樹1、神林 大介1、丸山 隆浩1、成塚 重弥1 (1.名城大理工)

キーワード:結晶成長、マイクロチャンネルエピタキシー