[13a-P16-1~2] 15.7 エピタキシーの基礎

[13a-P16-2] GaAs MCEにおけるらせんステップ源による法線成長速度決定メカニズム

〇水野 陽介¹、冨田 将史¹、高倉 宏幸¹、岩川 宗樹¹、神林 大介¹、丸山 隆浩¹、成塚 重弥¹ (1.名城大理工)

キーワード：結晶成長、マイクロチャンネルエピタキシー