[13a-P17-1~2] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[13a-P17-2] 斜入射トポグラフィーと局所ロッキングカーブ法によるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察

〇高橋 由美子¹、平野 馨一¹、吉村 順一¹、山下 良樹¹、志村 考功²、長町 信治³ (1.KEK－PF, 2.大阪院工, 3.(株)長町サイエンスラボ)

キーワード：トポグラフィー、ロッキングカーブ、SiC