[13a-P18-1~22] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス（ポスター）

[13a-P18-13] ワイドギャップ半導体β-Ga₂O₃単結晶のテラヘルツ波反射測定によるキャリア密度評価

〇齋藤 伸吾¹、尾沼 猛儀^{1, 2, 3}、佐々木 公平^{1, 4}、倉又 朗人⁴、関根 徳彦¹、笠松 章史¹、東脇 正高¹ (1.情通機構, 2.東京高専, 3.工学院大, 4.タムラ製作所)

キーワード：ワイドギャップ半導体、プラズモン、テラヘルツ波