[13a-P18-1~22] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス（ポスター）

[13a-P18-19] SiN:Fゲート絶縁膜を用いた高信頼性a-InGaZnO薄膜トランジスタの界面における結合状態の解析

〇(DC)山崎 はるか¹、石河 泰明¹、藤井 茉美¹、高橋 英治²、安東 靖典²、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大, 2.日新電機)

キーワード：a-InGaZnO、薄膜トランジスタ、フッ素