[13a-P18-1~22] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス（ポスター）

[13a-P18-21] プラズマ処理によるIGZO TFTのソース・ドレイン領域形成 ～ガス種と基板バイアスが抵抗率およびその熱的安定性に及ぼす効果～

〇曲 勇作¹、Dapeng Wang^{1, 2}、古田 守^{1, 2} (1.高知工大環境, 2.高知工大総研)

キーワード：TFT、IGZO、プラズマ処理