[13p-A23-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[13p-A23-6] MOSFET挿入による抵抗変化型メモリの抵抗制御

廣井 孝弘¹、中根 明俊¹、勝村 玲音¹、福地 厚¹、〇有田 正志¹、高橋 庸夫¹、浦邊 大史²、安藤 秀幸²、森江 隆² (1.北大院情報, 2.九工大生命体工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、電界トランジスタ、モリブデン酸化物