2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[13p-A25-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年3月13日(金) 16:15 〜 19:15 A25 (6A-218)

18:15 〜 18:30

[13p-A25-9] 希薄磁性半導体超格子GaGdAs/GaAsへのSiドープが及ぼす影響

〇大西 吉行1、山野 高史1、行廣 克成1、原田 優1、宮川 勇人1、小柴 俊1、中西 俊介1、橋本 光博2、高橋 敏男2 (1.香川大工, 2.東大物性研)

キーワード:希薄磁性半導体、GaGdAs:Si、超格子