[13p-B1-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-B1-6] X線マイクロビームによるGaN基板上InGaN系デバイスの評価

〇横川 俊哉¹、栫 拓也¹、今井 康彦²、木村 滋² (1.山口大工, 2.JASRI)

キーワード：半導体、InGaN、X線回折