[13p-B4-1~9] 15.6 IV族系化合物

△ [13p-B4-1] 種々の温度における容量の過渡応答(C-t特性)に基づくSiC MOS界面近傍の膜中トラップ密度の定量化

〇藤野 雄貴¹、菊地 リチャード平八郎¹、喜多 浩之^{1, 2} (1.東大院工, 2.JSTさきがけ)

キーワード：過渡応答測定、MOS、膜中トラップ