[13p-B4-1~9] 15.6 IV族系化合物

[13p-B4-4] 4H-SiC MOSFETにおけるチャネル移動度の面方位及びチャネル方向に対する異方性の系統的評価

〇有吉 恵子^{1, 2}、飯島 良介²、原田 信介^{1, 3}、児島 一聡^{1, 3}、先崎 純寿^{1, 3}、田中 保宣^{1, 3}、高尾 和人²、四戸 孝^{1, 2} (1.FUPET, 2.東芝, 3.産総研)

キーワード：SiC、MOSFET、移動度