2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[13p-B4-1~9] 15.6 IV族系化合物

2015年3月13日(金) 16:15 〜 18:30 B4 (6B-104)

17:00 〜 17:15

[13p-B4-4] 4H-SiC MOSFETにおけるチャネル移動度の面方位及びチャネル方向に対する異方性の系統的評価

〇有吉 恵子1, 2、飯島 良介2、原田 信介1, 3、児島 一聡1, 3、先崎 純寿1, 3、田中 保宣1, 3、高尾 和人2、四戸 孝1, 2 (1.FUPET, 2.東芝, 3.産総研)

キーワード:SiC、MOSFET、移動度