[13p-B4-1~9] 15.6 IV族系化合物

△ [13p-B4-6] 4H-SiC MOSFETの高温ドレインバイアス試験における故障メカニズム解析

〇内田 光亮¹、日吉 透¹、西口 太郎¹、山本 裕史¹、松川 真治¹、古米 正樹¹、御神村 泰樹¹ (1.住友電気工業)

キーワード：炭化ケイ素、トランジスタ、信頼性