[13p-D1-1~11] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[13p-D1-5] 大気圧プラズマCVD法を用いた(-201)β -Ga₂O₃薄膜のホモエピタキシャル成長

〇木口 拓也¹、野瀬 幸則¹、上原 剛²、藤村 紀文¹ (1.大阪府立　大学院, 2.積水インテグレーテッドリサーチ)

キーワード：酸化ガリウム