[13p-D1-1~11] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [13p-D1-9] PLD法を用いたβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜成長のNiOバッファー層導入による低温化

〇福田 大二¹、塩尻 大士¹、山内 涼輔¹、土嶺 信男²、金子 智^{1, 3}、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大, 2.(株)豊島製作所, 3.神奈川県産技センター)

キーワード：酸化ガリウム、パルスレーザー堆積法、低温結晶成長