[13p-D4-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-D4-10] GaSb基板の熱処理条件最適化

〇横山 春喜^{1, 3}、星 拓哉^{1, 3}、杉山 弘樹^{1, 3}、西 康一^{2, 3}、竹中 充^{2, 3}、高木 信一^{2, 3} (1.日本電信電話株式会社, 2.東大, 3.JST CREST)

キーワード：GaSb基板、MOCVD、熱処理