2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-D4-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2015年3月13日(金) 16:15 〜 19:00 D4 (16-204)

16:30 〜 16:45

[13p-D4-2] 表面窒化により成長したGaAsN混晶の発光特性

〇浦上 法之1、山根 啓輔1、関口 寛人1、岡田 浩1, 2、若原 昭浩1 (1.豊橋技科大工, 2.EIIRIS)

キーワード:希薄窒化物半導体