[13p-D4-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-D4-2] 表面窒化により成長したGaAsN混晶の発光特性

〇浦上 法之¹、山根 啓輔¹、関口 寛人¹、岡田 浩^{1, 2}、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大工, 2.EIIRIS)

キーワード：希薄窒化物半導体