[13p-D4-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-D4-4] Si基板上格子整合系GaAsPN混晶の高品質化

〇麦倉 俊¹、浦上 法之¹、山根 啓輔¹、関口 寛人¹、岡田 浩^{1, 2}、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大院・工, 2.豊橋技科大 EIIRIS)

キーワード：希薄窒化物半導体、GaAsPN、MBE