[13p-D4-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-D4-6] MOVPE 法を用いたSi 基板上Ge バッファおよびInGaAs/GaAs MQW層の成長

〇中尾 亮^{1, 2}、荒井 昌和^{1, 2}、山本 剛¹、松尾 慎治^{1, 2} (1.NTT先端集積デバイス研, 2.ナノフォトニクスセンタ)

キーワード：量子井戸、ゲルマニウム