[13p-P11-1~16] 8.7 プラズマ現象・新応用・融合分野

[13p-P11-14] 水素ラジカルによるW、Niの選択加熱を用いたa-Siの固相成長法とTFTの作製

〇(M1)上村 和貴¹、荒井 哲司¹、有元 圭介¹、山中 淳二¹、佐藤 哲也¹、中家 大希¹、中川 清和¹、高松 利行²、澤野 憲太郎³ (1.山梨大, 2.株式会社SST, 3.東京都市大)

キーワード：水素ラジカル、薄膜トランジスタ、固相成長法