[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [13p-P17-1] 高正孔濃度GaAsSbコンタクト層を有するGaAsSb/InGaAsSbベースDHBTのMOCVD成長

〇星 拓也¹、柏尾 典秀²、杉山 弘樹¹、横山 春喜¹、栗島 賢二¹、井田 実¹、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研, 2.NTTデバイスイノベーションセンタ)

キーワード：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、インジウムガリウムヒ素アンチモン、有機金属化学気相堆積