[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [13p-P17-12] 分極接合GaNウエハを用いたパワー集積回路

〇萱沼 怜¹、久保田 俊介¹、中島 昭³、西澤 伸一³、大橋 弘通^{2, 3}、筒井 一生¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋² (1.東工大総理工, 2.東工大フロンティア研, 3.産業技術総合研究所)

キーワード：GaN、HFET、パワー集積回路