[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-14] Ar⁺イオン照射したMOCVD-GaN:Si膜の電気的評価

〇中野 由崇¹、高木 健司¹、小川 大輔¹、中村 圭二¹、新部 正人²、川上 烈生³ (1.中部大工, 2.兵庫県立大高度研, 3.徳島大院工)

キーワード：GaN、イオン照射、欠陥準位