[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-15] CF₄プラズマ処理したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的評価

〇中野 由崇¹、川上 烈生²、新部 正人³、高木 健司¹、白濱 達夫²、向井 孝志⁴ (1.中部大工, 2.徳島大院工, 3.兵庫県大高度研, 4.日亜化学)

キーワード：AlGaN/GaNヘテロ構造、CF4プラズマ、欠陥準位