[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-16] ドライエッチングがAl₂O₃/AlGaN/GaN構造のMOS界面特性に与える影響

〇谷田部 然治^{1, 2}、大平 城二¹、佐藤 威友¹、橋詰 保^{1, 2} (1.北大量集センター, 2.JST-CREST)

キーワード：AlGaN/GaN、界面準位、ドライエッチング