[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-2] InAs-PHEMT特性に及ぼす正孔蓄積の効果

〇小松 竜大¹、西尾 結¹、佐藤 万里衣¹、佐藤 宇人¹、杉山 駿輔¹、高梨 良文¹ (1.東理大)

キーワード：ヘムト、インジウムヒソ