[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-20] AlGaN/GaN HEMTにおける局所リークへのエピタキシャル層の影響

〇成田 知隆¹、藤本 祐一¹、分島 彰男¹、江川 孝志¹ (1.名古屋工大)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ