[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-24] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造パターン依存性

〇下田 智裕¹、武井 優典¹、筒井 一生¹、齋藤 渉²、角嶋 邦之¹、若林 整¹、片岡 好則¹、岩井 洋¹ (1.東工大, 2.東芝ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ｽﾄﾚｰｼﾞ社)

キーワード：AlGaN、凹凸構造、オーミックコンタクト