[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-5] 格子整合系InAlN/ AlGaN HEMT デバイスの試作と評価

〇藤田 周¹、三好 実¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：HEMT、GaN