[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-6] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードで生じる双安定性の劣化メカニズム

〇永瀬 成範¹、高橋 言緒¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：共鳴トンネルダイオード、窒化物半導体、有機金属気相成長法