[13p-P19-1~22] 13.10 化合物太陽電池，15.2 II-VI族結晶および多元系結晶のコードシェアセッション

[13p-P19-9] 分子線エピタキシー法によるCuGaS₂薄膜の作製と評価 ～(NH₄)₂S_xによる過剰Cu_xSのエッチング～

〇倉掛 真弥¹、岡 優貴¹、松下 将也¹、山田 秀明¹、阿部 友紀¹、市野 邦男¹ (1.鳥大院工)

キーワード：CuGaS2、エッチング、CuS