[13p-P4-1~3] 3.13 半導体光デバイス

[13p-P4-1] 高密度InAs歪量子ドットを活性層に含むリッジレーザの作製と評価

〇伴 龍太郎¹、菅原 宏治¹、赤羽 浩一²、山本 直克² (1.首都大SD, 2.情通機構)

キーワード：量子ドット、半導体レーザ