[13p-P5-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-P5-2] 極薄Ta₂O₅膜の抵抗変化型メモリへの適用

〇大野 武雄^{1, 2}、寒川 誠二^{1, 3} (1.東北大WPI-AIMR, 2.JSTさきがけ, 3.東北大流体研)

キーワード：酸化還元メモリ、抵抗変化メモリ