[13p-P5-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-P5-3] マイクロ波励起プラズマを用いたWO₃の形成と抵抗変化メモリへの応用

〇(M1)高木 翔太¹、荒井 哲司¹、有元 圭介¹、山中 淳二¹、中川 清和¹、高松 利行² (1.山梨大学, 2.株式会社SST)

キーワード：抵抗変化メモリ、酸化タングステン、プラズマ