[13p-P5-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-P5-4] 抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討 ～ NiOの様々な面方位の第一原理電子状態解析 ～

〇(D)森山 拓洋^{1, 4}、山崎 隆浩²、大野 隆央^{2, 3}、岸田 悟^{1, 4}、木下 健太郎^{1, 4} (1.鳥取大工, 2.物材機構, 3.東大生産研, 4.TiFREC)

キーワード：ReRAM、第一原理計算、酸化ニッケル