[13p-P7-1~12] 6.5 表面物理・真空

[13p-P7-7] NEA GaAs フォトカソードのための針構造の作成

〇田中 翔太¹、平尾 昌幸¹、松尾 和俊¹、飯島 北斗¹、塩川 高雄²、目黒 多加志¹ (1.東理大, 2.理研)

キーワード：半導体、ㇶ化ガリウム