[14a-A24-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[14a-A24-2] Hf-Post Metallization AnnealingによるGeO₂/Ge界面特性の改善効果

〇新井田 淳平¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：ゲルマニウム、ハフニウム