2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[14a-A24-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2015年3月14日(土) 09:00 〜 12:15 A24 (6A-217)

10:15 〜 10:30

[14a-A24-6] ALDとECRプラズマ酸化による酸化膜固定電荷密度の制御

〇永冨 雄太1、長岡 裕一1、田中 慎太郎1、山本 圭介2、王 冬1、中島 寛2 (1.九大総理工, 2.九大産学連携センター)

キーワード:原子層堆積、ECRプラズマ酸化、酸化膜固定電荷