2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[14a-A24-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2015年3月14日(土) 09:00 〜 12:15 A24 (6A-217)

10:45 〜 11:00

[14a-A24-7] GaSb表面の純窒化プロセスの検討

〇(M2)後藤 高寛1, 2、藤川 紗千恵1、藤代 博記1、小倉 睦郎2、安田 哲二2、前田 辰郎1, 2 (1.東理大院基礎工, 2.産総研)

キーワード:ガリウムアンチモン、窒化